三菱電機(jī)今年以“創(chuàng)新功率器件構(gòu)建可持續(xù)未來(lái)”為題，亮相于6月17至19日在上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展2014，特別針對(duì)可再生能源領(lǐng)域，展出多款產(chǎn)品，滿足正在發(fā)展的太陽(yáng)能市場(chǎng)需求。

    在眾多展品中，全新的第7代IGBT模塊特別矚目，適合應(yīng)用于太陽(yáng)能發(fā)電。它采用了第7代IGBT硅片和二極管硅片;具有650V、1200V和1700V三種電壓等級(jí);提高利用門極電阻優(yōu)化dv/dt的可控性;涵蓋模塊電流75A至2500A;繼承傳統(tǒng)的三種封裝，適應(yīng)不同的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)需求;采用預(yù)涂熱界面材料，降低模塊與散熱器的接觸熱阻。

    另外，針對(duì)太陽(yáng)能發(fā)電，三菱電機(jī)還展出三電平逆變器用IGBT模塊，它的特色是低損耗、低電感、高絕緣和易并聯(lián)，絕對(duì)是太陽(yáng)能發(fā)電裝置的首選。

    三菱電機(jī)作為率先掌握功率半導(dǎo)體硅片技術(shù)和封裝技術(shù)的公司，積極發(fā)展碳化硅新材料的應(yīng)用。目前市場(chǎng)上采用的功率模塊的IGBT芯片大多采用硅材料制造，但是硅材料的性能利用已接近極限。與硅相比，碳化硅的禁帶寬度是硅的3倍，臨界擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度是硅的10倍，電子飽和速率是硅的2倍。

    在這次展會(huì)上，三菱電機(jī)也展出多款碳化硅器件，包含適用于新能源發(fā)電的全碳化硅MOSFET模塊。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有關(guān)斷拖尾電流極小、開(kāi)關(guān)速度快、損耗低、耐高溫的特性。采用碳化硅功率器件開(kāi)發(fā)電力電子變流器，能提高功率密度，縮小裝置體積;提升變流器效率;提高開(kāi)關(guān)頻率，縮小濾波器體積;確保高溫環(huán)境下運(yùn)行的可靠性;還易于實(shí)現(xiàn)高電壓大功率的設(shè)計(jì)。

    為了方便客戶采用新型功率模塊開(kāi)發(fā)變流器產(chǎn)品，三菱電機(jī)還將展示多種適合新能源領(lǐng)域的一體化應(yīng)用解決方案，包括基于新MPD的500kW光伏逆變器功率組件，以及基于新MPD的風(fēng)電用MPDStacK。

    作為全球首家掌握功率半導(dǎo)體硅片技術(shù)和封裝技術(shù)的公司，三菱電機(jī)將積極致力于基于新材料的開(kāi)發(fā)和應(yīng)用，努力為電力電子業(yè)界奉獻(xiàn)高性能和高可靠性的功率半導(dǎo)體模塊。

    三菱電機(jī)機(jī)電(上海)有限公司簡(jiǎn)介

    三菱電機(jī)創(chuàng)立于1921年，是全球知名的綜合性企業(yè)集團(tuán)。在最新的《財(cái)富》500強(qiáng)排名中，名列第244。

    作為一家技術(shù)主導(dǎo)型的企業(yè)，三菱電機(jī)擁有多項(xiàng)領(lǐng)先技術(shù)，并憑強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力和良好的企業(yè)信譽(yù)在全球的電力設(shè)備、通信設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化、電子元器件、家電等市場(chǎng)占據(jù)著重要的地位。

    三菱電機(jī)機(jī)電(上海)有限公司把弘揚(yáng)國(guó)人智慧，開(kāi)創(chuàng)機(jī)電新紀(jì)元視為責(zé)無(wú)旁貸的義務(wù)與使命。憑借優(yōu)越的技術(shù)與創(chuàng)造力貢獻(xiàn)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展以促進(jìn)社會(huì)繁榮。

    三菱電機(jī)半導(dǎo)體產(chǎn)品包括三菱功率模塊(IGBT、IPM、DIPIPMTM、HVIGBT、MOSFET等)、三菱微波/射頻和高頻光器件、光模塊等產(chǎn)品，其中三菱功率模塊在電機(jī)控制、電源和白色家電的應(yīng)用中有助于您實(shí)現(xiàn)變頻、節(jié)能和環(huán)保的需求;而三菱系列光器件和光模塊產(chǎn)品將為您在各種模擬/數(shù)字通訊、有線/無(wú)線通訊等應(yīng)用中提供解決方案。